高价回收库存显存颗粒K4G20325FD-FC04 DDR5 64M*32 联系我们获取更多资料

三月份**公开展示之后，三星电子今天宣布，已经****个开始量产基于16Gb(2GB) Die颗粒的新一代64GB DDR4 RDIMM内存条，主要面向企业和云服务应用。
三星表示，这条内存的标准频率为2666MHz，后续还可以轻松提升，同时功耗比两条32GB的节省多达19％。
三星这种大容量内存主要面向AMD EPYC服务器平台，因为后者内存扩展性能较佳，支持八通道，每路配16条内存插槽，使用这种64GB内存条的话，总容量就可以达到2TB。
三星QLC颗粒的860 QVO固态硬盘正式上架发售 较大4TB售451.93欧元
2019-11-22 12:58:58 来源：快科技 作者：上方文Q 编辑：听风飞舞　浏览：96
今年8月初，NAND闪存成员三星电子宣布开始量产业界**消费级QLC SSD，SATA接口，较大容量4TB，采用*四代V-NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb(128GB)。
趁此机会，HPE(原惠普企业部门)也推出了新一代服务器ProLiant DL385 Gen10，搭载AMD EPYC处理器，**一家配备了三星的这种64GB大内存，双路32条插槽，总内存2TB。
同时还有一款单路的HPE ProLiant DL325 Gen10，16条插槽，总内存也有1TB。
HPE透露，新内存可以带来16％的性能提升。
三星还透露，很快就会开始试产16Gb Die颗粒的256GB内存条，使用四Rank、八Rank TSV技术，预计今年年底完成，可以为双路服务器提供8TB的系统内存。
现在，法国、意大利的一些电商纷纷提前上架了三星860 QVO，并给出了明确规格、价格，预计12月份发布并开卖。


游民星空


860 QVO是标准的2.5寸SATA硬盘，容量至少有1TB、2TB、4TB三种版本，QLC的大存储密度终于体现出来了，而性能是标准水平：持续读写较高550MB/s、520MB/s，随机读写较高96000 IOPS、89000 IOPS。


价格方面，欧洲电商给出的不含税预售价是117.50、225.96、451.93欧元，加上19％的税差不多是140、270、540欧元(￥1105、2130、4265)，要远远低于860 EVO系列同样容量的160、380、850欧元。


在国内，860 EVO SATA 1/2/4TB目前分别卖1299/2199/5799元，860 PRO SATA 1/2TB分别卖1999/4199元。


看这意思，低价大容量SSD的时代要开启了，QLC可以啊。机械硬盘又该怎么办呢？
显存颗粒
显存颗粒是显存的物理存储组成单元。显存颗粒的类型(DDR3或DDR4)，单颗容量(MB)，单颗位宽(bit)，理论显存频率(MHz)直接影响显卡的性能。
参数关系可以简单的这样理解：
打个比方，火车由好多节独立的车厢组成，而每节车厢都有自己的定员（单颗容量），车厢都有自己的属性，比如它支持的极限速度（显存频率），在很多车厢组合在一起的时候，整列火车的极限速度就取决与较小的速度，而所能搭载的乘客就是所有车厢定员的总和。
三星/SK海力士筹划2019年增产DRAM颗粒
三星/SK海力士筹划2019年增产DRAM颗粒




「IT168 资讯】虽然双11期间，国内内存价格往复波动，特别是市场操盘*的金士顿，但从源头供应来看，如果不是很急的刚需，建议一定忍住。继三星计划在2019年对DRAM进行扩产之后，SK海力士和美光也松口了。




据Digitimes报道，SK海力士将在无锡兴建*二座晶圆厂，投资86亿美元，时间是2019年。该厂的产能为20万片/月，采用1Xnm工艺。目前SK海力士无锡一厂（2006年开始运行）的产能是13万片，已经占到了集团DRAM的半壁江山。


同时，Digitimes也进一步披露了三星的产能扩张计划，月增8万到10万片，总产能从当下的39万片提高到较多50万。


报道称，4GB DDR4 PC内存模组的协议价已经从去年Q2的13美元飙升到预计年底30.5美元，6个季度增长了160%。三星、SK海力士都希望能在新的波浪式周期中掌握主动权，并且拉低价格遏制对手的入局，比如国产DRAM。
提升性能容量：镁光发布单颗12-Gb的LPDDR4X移动内存颗粒
随着智能手机和平板电脑市场的日渐兴盛，消费者对于设备存储容量和性能的需求也水涨船高。尽管容量不一定是衡量性能的一的标准，但在5G到来之后，应用程序和网络连接将对内存子系统提出越来越高的要求。实际上，即便在当下，成像子系统和人工智能等工作负载，也需要高性能存储架构的鼎力支持。有鉴于此，镁光宣布了**面向移动设备的单片12Gb（1.5GB）LPDDR4X动态随机存储器芯片。
镁光表示，为提升效率和降低能耗，该12-GbLPDDR4X内存颗粒将采用10-nm工艺生产。
与上一代产品相比，其速率可达4266Mb/s，功耗还降低了10%。此外，芯片密度允许手机等移动设备，实现更高的总存储容量。
这款LPDDR4X内存新品已经上市，感兴趣的移动设备设计师可以与镁光联系采购。

三星今天宣布生产16Gb GDDR6显存颗粒
三星于今日宣布已开始批量生产16Gb GDDR6显存颗粒，该颗粒采用10nm工艺，比目前20nm工艺的8Gb GDDR5颗粒先进两代，而数据传输速度也高达72Gbps/s，工作电压仅为1.35v，因此无论是性能还是节能方面都良好于GDDR5。
看来HBM2显存在下一代显卡上面依然不会普及，GDDR6将作为主力显存应用于绝大部分显卡。毕竟目前显存性能或者说数据带宽已经不是显卡性能的瓶颈了，因此GDDR6还是很理想的。
英伟达下一代产品将搭载：SK Hynix 海力士 GDDR6 显存颗粒


爱果转
百家号01-2400:13
紧跟SAMSUNG（三星）脚步，在三星宣布GDRR6正式投入量产后，现在SK hynix（海力士）也开始行动，官方宣布已开始向OEM厂商供货，相比三星的量产阶段，海力士这次是赶在了三星之前，据悉SK hynix GDRR6会率先出现在新一代英伟达Volta新架构显卡中。
据了解，此次推出的颗粒共有四个版本，单颗容量均为8GB（256M×32），也就是1GB，工艺上采用108ball FCBGA封装。编号“H56C8H24MJR-S2C”的有14Gbps、12Gbps两种速率规格，电压分别为1.35V、1.25V，编号“H56C8H24MJR-S0C”的则分为12Gbps、10Gbps，电压同样对应1.35V、1.25V。对比上周公布的三星18GHz 16GB GDRR6颗粒，海力士GDRR6容量和频率等规格均处于劣势，具体性能差距不得而知，可能英伟达会针对不同定位产品采用不同类型方案，总之一切谜底将会在3月前后揭晓。