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提升性能容量：镁光发布单颗12-Gb的LPDDR4X移动内存颗粒
随着智能手机和平板电脑市场的日渐兴盛，消费者对于设备存储容量和性能的需求也水涨船高。尽管容量不一定是衡量性能的一的标准，但在5G到来之后，应用程序和网络连接将对内存子系统提出越来越高的要求。实际上，即便在当下，成像子系统和人工智能等工作负载，也需要高性能存储架构的鼎力支持。有鉴于此，镁光宣布了**面向移动设备的单片12Gb（1.5GB）LPDDR4X动态随机存储器芯片。
镁光表示，为提升效率和降低能耗，该12-GbLPDDR4X内存颗粒将采用10-nm工艺生产。
与上一代产品相比，其速率可达4266Mb/s，功耗还降低了10%。此外，芯片密度允许手机等移动设备，实现更高的总存储容量。
这款LPDDR4X内存新品已经上市，感兴趣的移动设备设计师可以与镁光联系采购。
相比三星、SK Hynix显存颗粒，美光显存颗粒少见得多，去年中才开始商业出货20nm工艺的GDDR5颗粒，8Gb容量。由于美光进入GDDR5市场要比三星晚的多，所以他们的主要精力放在了GDDR5X上，希望用这种改良版显存实现对三星、SK Hynix的**车。


GTX 1070显卡先发评测时我们看到的显卡使用的都是三星GDDR5颗粒，后续产品中开始出现美光显存的。由于NVIDIA现在是打包GPU芯片和显存产品一并出售给显卡厂商，所以使用美光显存的产品不止出现在一家显卡厂商的产品中。
尔必达25nm制程4Gbit内存颗粒开发完成


2011-09-22 13:32:28 出处：快科技 作者：ChrisR 编辑：ChrisR 人气： 4075 次 评论(11)点击可以复制本篇文章的标题和链接
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8月初,尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2Gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称，采用25nm新工艺制造的4Gbit DDR3 SDRAM颗粒研发完成，芯片面积在同类产品(4Gbit DRAM颗粒）中属世界较小。
新的内存颗粒型号为EDJ4104BCBG／EDJ4108BCBG，位宽分别为4bit/8bit，尔必达称相比自家之前的30nm制程4Gbit DDR3内存颗粒，1枚晶圆可切割出的芯片数量增加了45%，较大降低了生产成本。同时运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%，较高传输速度可达1866Mbps以上（即此颗粒制成的内存频率较高1866MHz），默认电压为1.5V，同时有低电压1.35V的版本。
尔必达表示新的内存颗粒将在今年12月份开始试产，预计也将在同月开始量产并批量出货。
SK海力士搞定单Die 16Gb DDR4颗粒：256GB有戏


太平洋电脑网
百家号01-2616:06
SK海力士近日悄然在其产品目录中增加了16Gb(2GB)容量的单Die DDR4内存颗粒，不仅可以使用更少的芯片打造大容量内存条，还为单条256GB内存条铺平了道路。
16Gb乃至是32Gb DDR4颗粒其实并不**，SK海力士等早都有了，不过是用两颗或者四颗8Gb Die堆叠而成的，再造出16GB、32GB内存条。
但是，如此密集堆叠的内存颗粒和内存条十分复杂，比如64GB LRDIMM条子需要设置为四个Rank，128GB的更得八个Rank，结果导致延迟非常高，DDR4-2400/2666的要达到CL20/22。


有了单Die 16Gb颗粒，大容量内存条的复杂度就能大大降低 ，64GB、128GB分别只需两个、四个Rank， 而 八个Rank就能可以造出256GB的单条容量。
对于服务器而言，单条内存容量越大越有利，比如 可扩展Xeon M系列支持六通道、较多12条内存，单条256GB的话，单路总容量就可达3TB，AMD EPYC的八通道更是能做到单路4TB。
当然， 价格是不敢想象的，Crucial 128GB DDR4 LRDIMM现在零售就要3999.99美元，256GB的怎么也得五六千美刀，人民币三四万轻轻松松的。
回头再说一下SK海力士单Die 16GB DDR4颗粒的规格，分为1G×16、2G×8两种方式，均提供 2133/2400/2666MHz 三种频率，时序15-15-15/17-17-17/19-19-19，电压仅为1.2V，其中低频的已经发货，高频的要等*三季度。
三星今天宣布生产16Gb GDDR6显存颗粒
三星于今日宣布已开始批量生产16Gb GDDR6显存颗粒，该颗粒采用10nm工艺，比目前20nm工艺的8Gb GDDR5颗粒先进两代，而数据传输速度也高达72Gbps/s，工作电压仅为1.35v，因此无论是性能还是节能方面都良好于GDDR5。
看来HBM2显存在下一代显卡上面依然不会普及，GDDR6将作为主力显存应用于绝大部分显卡。毕竟目前显存性能或者说数据带宽已经不是显卡性能的瓶颈了，因此GDDR6还是很理想的。

联芸科技对外发布支持96层镁光B27A的 3D TLC NAND闪存颗粒
工程师青青 发表于 2019-11-19 17:22:31
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11月15日， 国产**SSD主控芯片原厂联芸科技（MAXIO）再下一城，正式对外宣布MAS0902固态硬盘主控芯片已全面支持较新96层3D TLC NAND 闪存颗粒，并对外提供搭载联芸科技*支持原厂3D TLC NAND高品质固件的固态硬盘完整解决方案。据了解，MAS0902固态硬盘主控芯片，已经适配了**全部量产的所有3D MLC/TLC NAND闪存颗粒，继在今年9月国内先发量产支持64层3D QLC后，现已全面支持较新96层3D NAND闪存颗粒。此次发布的96层3D TLC NAND闪存固态硬盘解决方案，客户*修改硬件，为客户快速量产提供了较大的便利性。联芸科技较新发布支持96层TLC的3D NAND闪存颗粒，较高容量可达到4TB，其性能也代表了行业的成员，在1TB容量下连续读写性能达到：560MB/s，528MB/s；随机读写性能达到：396MB/s，315MB/s，跑分**过900分。


联芸科技对外发布支持96层镁光B27A的 3D TLC NAND闪存颗粒


联芸科技副总经理李国阳表示，MAS0902主控芯片于去年10月份荣获工信部CSIP*十二届中国芯“较具潜质产品”奖之后，快速获得市场认可，并在今年11月份刚刚荣获工信部CCID*三届中国芯“优秀市场表现产品”奖，这也自2010年以来一连续两次获得中国芯年度荣誉国产SSD主控芯片。目前该主控芯片已经能够为客户在不进行硬件改版的情况下，提供支持目前市场上全部量产的3D NAND颗粒的高品质SSD解决方案，也是目前**一一款能够成熟支持从32GB到4TB容量的DRAMLESS解决方案的主控芯片。联芸科技将基于不同市场对SSD的不同要求，全面布局消费级、工控类工控级、企业级、监控级、商密级多应用场景高品质SSD解决方案。联芸科技作为**为数不多掌握SSD主控芯片及解决方案核心技术厂商，将始终为中国乃至**SSD客户带来较具性价比的产品和服务。


据悉，目前联芸科技对外发布的支持96层镁光B27A的 3D TLC NAND 闪存颗粒，已经可以与客户同步测试并协助量产。首批获得联芸科技技术授权厂商，预计将在11月底前正式推出基于国产主控MAS0902+96层3D TLC NAND原厂颗粒系列固态硬盘，将会给市场带来更多选择。联芸科技MAS0902主控芯片搭载原厂较新96层3D TLC NAND 闪存颗粒解决方案成功量产，也标志着国产SSD固态硬盘主控已经在芯片设计、固件开发以及量产测试方面从跟随到逐步追赶的实质性突破。