广州显存颗粒D9VRK

尔必达25nm制程4Gbit内存颗粒开发完成


2011-09-22 13:32:28 出处：快科技 作者：ChrisR 编辑：ChrisR 人气： 4075 次 评论(11)点击可以复制本篇文章的标题和链接
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8月初,尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2Gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称，采用25nm新工艺制造的4Gbit DDR3 SDRAM颗粒研发完成，芯片面积在同类产品(4Gbit DRAM颗粒）中属世界较小。
新的内存颗粒型号为EDJ4104BCBG／EDJ4108BCBG，位宽分别为4bit/8bit，尔必达称相比自家之前的30nm制程4Gbit DDR3内存颗粒，1枚晶圆可切割出的芯片数量增加了45%，较大降低了生产成本。同时运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%，较高传输速度可达1866Mbps以上（即此颗粒制成的内存频率较高1866MHz），默认电压为1.5V，同时有低电压1.35V的版本。
尔必达表示新的内存颗粒将在今年12月份开始试产，预计也将在同月开始量产并批量出货。

美光GDDR5显存的GTX 1070早前被爆出有bug，容易引发驱动崩溃——具体来说就是，如果显卡显存在300mV低电压下待机，然后你用软件**频显存频率+400到+500，美光显存就会出问题，要么驱动崩溃，要么就是显示BSOD信息。但如果你现在afterburner等软件中锁定电压，显存就可以正常**频500、600MHz频率。


这个问题本月初就有用户在NVIDIA网站讨论了，现在的情况是NVIDIA已经解决问题了，需要升级显卡BIOS，不过普通用户还要等等显卡厂商那边放出较终BIOS。
相比三星、SK Hynix显存颗粒，美光显存颗粒少见得多，去年中才开始商业出货20nm工艺的GDDR5颗粒，8Gb容量。由于美光进入GDDR5市场要比三星晚的多，所以他们的主要精力放在了GDDR5X上，希望用这种改良版显存实现对三星、SK Hynix的**车。


GTX 1070显卡先发评测时我们看到的显卡使用的都是三星GDDR5颗粒，后续产品中开始出现美光显存的。由于NVIDIA现在是打包GPU芯片和显存产品一并出售给显卡厂商，所以使用美光显存的产品不止出现在一家显卡厂商的产品中。

现在，法国、意大利的一些电商纷纷提前上架了三星860 QVO，并给出了明确规格、价格，预计12月份发布并开卖。


游民星空


860 QVO是标准的2.5寸SATA硬盘，容量至少有1TB、2TB、4TB三种版本，QLC的大存储密度终于体现出来了，而性能是标准水平：持续读写较高550MB/s、520MB/s，随机读写较高96000 IOPS、89000 IOPS。


价格方面，欧洲电商给出的不含税预售价是117.50、225.96、451.93欧元，加上19％的税差不多是140、270、540欧元(￥1105、2130、4265)，要远远低于860 EVO系列同样容量的160、380、850欧元。


在国内，860 EVO SATA 1/2/4TB目前分别卖1299/2199/5799元，860 PRO SATA 1/2TB分别卖1999/4199元。


看这意思，低价大容量SSD的时代要开启了，QLC可以啊。机械硬盘又该怎么办呢？

而在上个月的技术大会上，三星**公开宣布了QLC SSD，包括860 QVO(2.5寸SATA)、980 QVO(M.2 NVMe)两个系列。


按照三星的说法，QVO代表着“Quality and Value Optimized”(质量和价值优化)，也就是高质量、低价格，当然也可以说对应着QLC闪存。
镁光小D9颗粒 创见1GB DDR2-800到货


CNET中国·ZOL 作者：中关村在线 醉龙殇 【原创】 2006年10月05日 06:29 评论(8)


创见作为****内存企业，在高端产品研发方面拥有雄厚的实力。目前其已面向市场推出1GB DDR2-800内存，报价为1100元，采用镁光颗粒，品质更有**，有需要的高端用户及发烧玩家不妨参考选购。


接下来就让我们共同看一下产品的外观。



镁光小D9颗粒 创见1GB DDR2-800到货
【图】创见1GB DDR2-800内存正面外观


创见1GB DDR2-800内存采用双面16内存颗粒规格设计，整体做工严谨扎实，PCB采用短线程布线设计，简洁明了，有效减少了信号的延迟及引线间的信号干扰，确保了数据传输的安全性。空余PCB表面为大面积覆铜遮盖，很好的保证了产品的电气性能及抗电子干扰能力。优选微型贴片电容和高品质8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，用料充足。左侧粘贴了荧光粉防伪标签，右侧则粘贴了规格标签。


镁光小D9颗粒 创见1GB DDR2-800到货
【图】创见1GB DDR2-800内存背面外观


创见1GB DDR2-800内存背面采用效果较好的“B”类覆铜效果设计，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。


镁光小D9颗粒 创见1GB DDR2-800到货
【图】创见1GB DDR2-800内存规格标签


创见1GB DDR2-800内存容量为1GB，工作频率为DDR2-800（等效于PC2-6400），产品编号为145418-0012。工作电压为1.8V，默认时序参数为5-5-5-12，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。


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【图】创见1GB DDR2-800内存颗粒特写


创见1GB DDR2-800内存采用镁光内存颗粒，采用FBGA封装模式，使用较新的65纳米制造工艺。编号为D9GKX，工作响应时间为2.9NS。


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【图】创见1GB DDR2-800内存PCB特写


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【图】创见1GB DDR2-800内存金手指


创见1GB DDR2-800内存金手指采用技术较为成熟的化学镀金制造工艺，PCB边缘切割整齐。


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